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전자전기공학과 연구회지 꼬마전구입니다.
 
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꼬마전구 2004
 
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메타물질 안테나와 자계 도체 평면과
주파수 선택 표면의 해석
-. 연  사 : 박 위 상 교수 (T. 2224)
-. 일  시 : 2009년 5월 8일 (금) 오후 4:15 ~ 5:05
-. 장  소 : LG동 강당

Abstract
메타물질(Metamaterial, MTM)은 자연계에 존재하지 않는 새로운 전자기적 특성을 가지는 인공적인 물질이다. 메타물질의 물질 상수(유전율과 투자율)는 일반물질의 물질 상수의 범위를 초월하여 양수뿐만 아니라 음수도 될 수 있다. 따라서 이로부터 얻을 수 있는 응용의 예는 다양하다. 이 메타물질은 기존의 소자들이 가지고 있는 문제점을 해결할 수 있는 해결책으로 각광받으며, 매우 많은 연구가 진행되고 있다. 이번 세미나에서는 메타물질의 물질 상수의 고찰과 이와 관련된 MTM의 특성을 연구하고, MTM의 다양한 안테나 응용을 보여주는 것이다.

Recent Advances in PRAM Technology:
Operation and Reliability
-. 연  사 : 하 대 원 박사 (삼성전자 메모리사업부)
-. 일  시 : 2009년 5월 29일 (금) 오후 2:45 ~ 4:15
-. 장  소 : LG동 강당
-. 초청자 : 이 정 수 교수 (T.2380)

Abstract
Nonvolatile memory market such as NAND and NOR flash memory has been rapidly growing with the advent of mobile era in the past few years. However, conventional nonvolatile memory technologies are facing severe technology barriers to keep up with the past trend of higher memory density, better performance, and lower cost-per-bit. Recently, various new nonvolatile memories have been investigated to overcome the difficulties of conventional nonvolatile memories and provide ideal memory functions such as non-volatility, fast random accessibility and virtually unlimited usage. PRAM is one of the most promising candidates, considering scalability, cost-per-bit, manufacturability, performance, and high density memory realization. PRAM has many strong points over conventional flash memories. For example, erase operation is not necessary, which re-sults in fast, simple and efficient data processing compared to flash memories. In addition, better write programming endurance reduces software overhead costs such as wear leveling. Furthermore, PRAM can be easily merged with logic technologies with minimized additional photo-mask steps, thus having a great opportunity in embedded memory applications.

철강압연공정의 이해 및 최근의 제어기술

-. 연  사 : 이 성 진 박사 (포스코)
-. 일  시 : 2009년 6월 5일 (금) 오후 2:45 ~ 4:15
-. 장  소 : LG동 강당
-. 초청자 : 원 상 철 교수 (T.2221)
 
Abstract
 
철강압연공정의 개략적인 설명과
압연공정에 있어서 최근의 제어기술에 대해 발표한다

 The fourth fundamental circuit element, Memristor
  
   -.  일   시  :  2009. 06. 12 (금) 오후 2:45~4:15
 
   -.  연   사  :  조 경 록 교수 (충북대학교)
 
   -.  장   소  :  LG동 강당  
 
   -.  초청자  :  김 영 환 교수 (T.2227)
 

◈ Title : PRAM (Phase-change Random Access Memory): from boosting the performance to creating new applications
◈ Speaker : Dr. DAEWON  HA (Samsung Electronics)
◈ Date & Time : Friday,  June  3, 2011 (14:00pm ~ 15:30pm)
◈ Place : LG Research Building, Room #101
◈ Host : Prof.  Jeong-Soo Lee (Tel. 2380)
◈ Abstract : As the conventional memories approach their physical limitation for scaling and              reliability, several alternative memory concepts have been investigated. One of the most promising candidates to replace the conventional memories is the phase change random access memory (PRAM) mainly due to its small cell size, fast read and write     speed, good cycling endurance and high temperature data retention time, and so on.
 In this seminar, I will explain and compare the basic PRAM cell operation from conventional memories such as DRAM and Flash. Chip performance benefits from the   unique PRAM cell features will be discussed. Also, the key technologies will be described in terms of boosting the performance and the memory cell density, together with creating new applications. Finally, the physical failure mechanisms for intrinsic reliability including high temperature data retention (HTDR), cycling endurance, and thermal disturbance will be discussed.

주역에서 가르치는 인간 경영
-. 연  사 : 서 대 원 이사 (HU 서비스)
-. 일  시 : 2009년 4월 3일 (금) 오후 2:45 ~ 4:15
-. 장  소 : LG동 강당
-. 초청자 : 정 홍 교수 (T.2223)
 
Abstract
가. 시간.
나. 상생.
다. 주역에서 가르치는 부자가 되는 법.
라. 주역을 통하여 자신과 상대방 그리고 사회의 흐름을 인식한다.
마. 대업(大業)의 성취를 주역 통하여 배운다.